Внимание! Это ознакомительный вариант работы с системой, войдите или зарегистрируйтесь.
Размещение рекламы | Пользовательское соглашение | Тарифы
, Гость!
Режим : Trial 
Войти...
Регистрация...

Для организаций:
информационный буклет


Институт повышения квалификации специалистов релейной защиты и автоматики

  Союз образовательных сайтов
Онлайн Электрик > Электронная конференция «Электроэнергетика. Новые технологии»

Дата приоритета: 03.02.2014
Код ГРНТИ: 45.01.25
Сертификат участника: Скачать
Прислать статью

Оптоэлектронная пара на основе полупроводниковой структуры как датчик времени температуры, давления, освещения и других параметров

Ш.И. Набиев, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроэнергетики
К.М. Файзуллаев, ассистент кафедры электроэнергетики,
Наманганский инженерно- педагогический институт,
К.Б. Умаров, кандидат физико-математических наук,
АЛ "Дустлик" при НамИПИ
Узбекистан

Известно, что полупроводниковые приборы играют важную роль в создании измерительных и других устройств (приборов). В настоящее время с развитием технологии полупроводниковых приборов особенно нанотехнологии важность создания полупроводниковых приборов еще больше возросла. В данной статье мы считаем очень важным сообщить об идее создания оптоэлектронной полупроводниковой пары для измерения времени, температуры, давления других параметров, которая обладает целым рядом преимуществ по сравнению с применяющимися на практике [1].

Известно явление долговременных релаксаций проводимости, протекающих в неоднородных полупроводниках и полупроводниковых структурах, характерное время которых зависит от внешних воздействий - температуры , давления [2]. Кинетика имеет вид, показанный на рис. 1.

Рис. 1

Моменты времени t1 и t2 начало и конец внешнего воздействия. Характерное время определяется выражением

τ=τ0exp(Up/kT)

и ее величина лежит в пределах от долей миллисекунд до сотен тысяч лет , все зависит от температуры и величины Uр. Величина Uр может регулироваться в процессе изготовления и зависит от параметров полупроводника или полупроводниковой структуры.

Нами были исследованы ДРП в полупроводниках и создана теория ДРП, которая полностью объяснила все свойства ДРП.

Нам удалось смоделировать явление на простой двухслойной структуре. Это открывает возможности в создании и изготовлении полупроводниковых приборов, в том числе и измерительных.

Идея состоит в том, что на основе двухслойной структуры и светодиода можно создать датчик, который по измерению постоянной времени релаксации фотопроводимости (измерение частоты релаксационных процессов) измерять температуру, давление, использовать ее как датчик времени, а также датчик памяти и другие.

Рис. 2 – Электрическая схема приведена

Измерительное устройство состоит из датчика, усилителя низких частот с передающим устройством (УНЧ) преемника электромагнитных волн (РП) и анализатора частот (АЧ). Принцип измерения состоит в том, что внешнее воздействие (её величина) пределяет величину и на датчике появляются электрические колебания обусловленные изменением удельного сопротивления n-n+ полупроводниковой структуры. Сигналы электрического колебания, определенные внешним воздействием частоты, усиливается УНЧ и предаются в эфир в виде электромагнитных волн. Эти переменные электромагнитные волны принимает радиоприемник (РП) и анализатор частот (АЧ) определяет частоту колебаний. По величине частоты можно однозначно судить о величине измеряемого давления, температуры или можно использовать это устройство как датчик времени и другие.

Достоинствами этого датчика в отличии от имеющихся является следующее:

1. Малые габариты датчика (можно изготовить на основе наноструктур).

2. Непосредственное превращение измеряемого сигнала в электрические (не требуется прибора превращающего сигнал в электромагнитные колебания).

3. То, что датчик сам может находиться в любом месте вдали от измеряющего оператора (хоть в космосе или на другой планете).

4. То, что датчик универсальный и может измерять и давление, и температуру и интенсивность освещения и другие величины.

Использованная литература:

1. А.Я. Вуль, Ш.И.Набиев, А.Я.Шик. Журнал ФТП, II, стр. 506, 1977 г

2. Ш.И. Набиев, К.М. Файзуллаев Неоднородные полупроводники и приборы на их основе // Онлайн Электрик: Электроэнергетика. Новые технологии, 2014.–URL: http://www.online-electric.ru/articles.php?id=106 (Дата обращения: 03.02.2014)



Библиографическая ссылка на статью:
Ш.И. Набиев, К.М. Файзуллаев, К.Б. Умаров Оптоэлектронная пара на основе полупроводниковой структуры как датчик времени температуры, давления, освещения и других параметров // Онлайн Электрик: Электроэнергетика. Новые технологии, 2014.–URL: http://www.online-electric.ru/articles.php?id=109 (Дата обращения: 29.06.2017)

Библиографическая ссылка на ресурс "Онлайн Электрик":
Алюнов, А.Н. Онлайн Электрик: Интерактивные расчеты систем электроснабжения / А.Н. Алюнов. - Режим доступа: http://online-electric.ru.


____________
Комментарии:






Дистанционые курсы
Повышение квалификации по программе БС-6 "Безопасность строительства и качество устройства электрических сетей и линий связи" (удостоверение гос. образца)
www.online-electric.ru

Профессиональная переподготовка
Дистанционные курсы профессиональной переподготовки по программе «Проектирование, монтаж и эксплуатация систем электроснабжения»
www.online-electric.ru

SaaS, Облачные вычисления, программа расчета, пример расчета, Электроснабжение загородного дома, промышленных предприятий, электроснабжение дома, коттеджа, квартиры, электроснабжение зданий, цеха, города, микрорайона. Проект электроснабжения, электрификация, электрофикация, система электроснабжения, схемы электроснабжения, учебник по электроснабжению, договор электроснабжения, расчет электроснабжения, надежность электроснабжения, категории электроснабжения, промышленное электроснабжение, электрификация сельского хозяйства, проектирование электроснабжения онлайн!
Побелитель Конкурса Электросайт года                  
© ОНЛАЙН ЭЛЕКТРИК: Онлайн расчеты электрических систем Online-electric.ru, 2008-2017
© А.Н. Алюнов, 2008-2017 Свидетельство №16066 от 23.08.2010 года